Полупроводниковая компания из другого мира: история Siliconix, часть 4
За 15 лет совместной работы с момента свадьбы в 1947 году Фрэнсис и Билл Хьюгл накопили все технические ноу-хау, необходимые для производства транзисторов и интегральных схем. Благодаря своим усилиям по производству драгоценных камней в Stuart Labs они разработали методы выращивания кристаллических слитков, отжига этих слитков и легирования их примесями. За годы разработки технологии оптического кодирования в компании DH Baldwin Piano они разработали технологию нанесения тонких полупроводниковых пленок и использования фотолитографии для создания рисунков на печатных платах и оптических дисках. В компании Westinghouse в конце 1950-х — начале 1960-х годов они участвовали в разработке чистых помещений и производстве полупроводников в стиле 1950-х годов. К этому моменту у них было все необходимое, чтобы основать компанию по производству полупроводников, и они именно это и сделали. Фактически, в стиле Кремниевой долины, они запустили два или три из них.
Семья Хьюглов переехала в Таузенд-Оукс, штат Калифорния, в конце 1960 года, чтобы помочь Вестингаузу создать лабораторию астроэлектроники. Эта лаборатория была частью программы молекулярной электроники Westinghouse для ВВС США и занималась разработкой миниатюрных электронных компонентов, называемых FEB (функциональные электронные блоки), которые были основаны на полупроводниках, но не были ИС. Навыки и знания, полученные Хьюглами на этом этапе своей карьеры, побудили их к концу 1961 или началу 1962 года начать планировать создание собственного предприятия по производству полупроводников.
В марте 1962 года Фрэнсис и Билл Хьюгл основали Siliconix в Саннивейле, Калифорния. Инвестиционный капитал поступил от старого друга семьи, DH Baldwin Piano Company, Electronic Engineering Company of California, и У. ван Аллена Кларка-младшего из Sippican Corporation. Хотя Siliconix не вышла из Fairchild Semiconductor, она привлекла сотрудников оттуда и от нескольких других первых производителей полупроводников, включая Fairchild, Motorola, Pacific Semiconductor, Rheem, US Semcor, Texas Instrument и Westinghouse. Дик Ли из Texas Instruments присоединился к нам по приглашению компании DH Baldwin Piano Company и стал президентом компании. Как обычно бывает в совместных предприятиях Фрэнсис и Билла Хьюгл, Фрэнсис Хьюгл стала директором по исследованиям и разработкам компании.
Примечательно, что Siliconix с самого начала сосредоточилась на производстве полевых транзисторов. Этот акцент отличает Siliconix от других производителей полупроводников, которые в то время производили биполярную продукцию. Однако связь с бывшим работодателем Хьюглов, компанией Westinghouse, явно присутствовала в описании компании, опубликованном в книге под названием «Исследования и разработки: список предприятий малого бизнеса, заинтересованных в проведении исследований и разработок», опубликованной в 1963 году издательством Администрация малого бизнеса США. Описание деятельности Siliconix в книге гласит:
«Интегральные схемы, молекулярные и функциональные электронные блоки, включая тонкопленочные схемы, многоэлементные и электрически связанные транзисторы, а также оборудование для обработки, униполярные полевые транзисторы, тонкопленочные транзисторы и туннельные эффекты. Миниатюрный многокаскадный термос. -электрические охладители и фотодетекторы».
Термины «молекулярные и функциональные электронные блоки» напоминают уникальную программу «Молекулярная электроника» компании Westinghouse, о которой говорится в третьей части этой серии статей. Эту терминологию использовали только компания Westinghouse и ВВС США.
Прежде чем можно было надежно производить полевые транзисторы, пришлось преодолеть множество технических препятствий. В статье под названием «MOS-поезд начинает развиваться», написанной Уолтером Барни и опубликованной в выпуске журнала Electronics Magazine от 18 марта 1968 года, цитируется Артур Эванс, который к тому времени был главным инженером в Siliconix:
«В ходе исследования для Lockheed Electronics Co. компания Siliconix Inc. устранила три традиционные трудности в создании надежных МОП-устройств. Это миграция ионов в оксиде, приводящая к большим колебаниям пороговых напряжений, пути утечки между истоком и стоком, вызванные ионы в оксиде, а также прокол оксида, вызванный электростатическими напряжениями.